首战告捷！国产高压400V抗辐射SiC功率器件太空验证成功，新一代器件蓄势待发
党莲梵
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2025-01-22 15:40:36
摘要 2024年11月15日，由中国科学院微电子所刘新宇、汤益丹团队与中科院空间应用工程与技术中心刘彦民团队联合研制的碳化硅（SiC）载荷搭乘天舟...
2024年11月15日，由中国科学院微电子所刘新宇、汤益丹团队与中科院空间应用工程与技术中心刘彦民团队联合研制的碳化硅（SiC）载荷搭乘天舟八号货运飞船进入太空，并于10天后成功进行了高压400伏测试。此次任务标志着首款国产高压400伏抗辐射SiC功率器件的空间环境适应性及其在电源系统中的在轨应用验证顺利完成。
SiC功率器件作为电力电子系统的核心，其性能对国家核心产业竞争力至关重要。针对空间载荷轻量化、高效能的需求，团队突破了一系列关键技术，成功研制出高压抗辐射SiC功率器件。经过一个多月的在轨加电试验，测试数据正常，符合预期。未来，团队将进一步优化器件结构及工艺，推动400伏SiC功率器件的批量应用，并研发更高电压等级的抗辐射SiC功率器件，以满足更多应用需求。
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