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英特尔我们的3DV-Cache技术将采用与AMD不同的方法

摘要 英特尔首席执行官帕特·基辛格(PatGelsinger)表示,英特尔正在准备自己的芯片堆叠技术,以与AMD的3DV-cache技术竞争。但不要指望英特尔会采...

英特尔首席执行官帕特·基辛格(PatGelsinger)表示,英特尔正在准备自己的芯片堆叠技术,以与AMD的“3DV-cache”技术竞争。

但不要指望英特尔会采取与AMD相同的芯片堆叠方法,AMD一直在使用该技术将某些专注于游戏的Ryzen处理器上的L3缓存增加一倍。正如我们的测试发现的那样,额外的内存可以提高PC上的游戏帧速率,尽管有时会产生更多热量。

今天在圣何塞举行的英特尔创新活动上,当被问及英特尔是否会采用3DV缓存系统在其芯片芯片顶部堆叠额外的内存时,Gelsinger表示:“当您在这里提到V缓存时,您谈论的是台积电(AMD的芯片制造商)也为其一些客户提供了非常具体的技术。显然,我们的做法有所不同,对吧?”

英特尔没有计划在该公司的MeteorLake处理器上使用类似3DV缓存的技术,该处理器将于12月开始推出。“但在我们的路线图中,你会看到3D芯片的想法,我们将在一个芯片上拥有缓存,对吗?然后我们将在堆叠芯片上进行CPU计算,”Gelsinger说道。

这听起来与AMD不同,AMD一直在使用芯片堆叠技术将附加内存放置在CPU芯片的顶部。基辛格表示,英特尔希望采取相反的做法,将CPU堆叠在内存之上。

尽管英特尔首席执行官并未透露细节,但他表示该公司计划使用EMIB和Foveros工艺垂直连接芯片芯片,从而使芯片能够在单个封装中进行通信。“因此,我们对拥有下一代内存架构的先进功能感到非常高兴,”他补充道。

基辛格表示,英特尔计划通过英特尔不断增长的代工业务(与台积电竞争),为公司自己的CPU和客户提供芯片堆叠方法。但他没有透露何时推出,因此可能需要数年时间才能成为现实。

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